Planar AFAR presenta notevoli vantaggi in termini di peso e dimensioni rispetto ad altre soluzioni. La massa e lo spessore del nastro AFAR vengono ridotti di parecchie volte. Ciò consente loro di essere utilizzati in teste di homing radar di piccole dimensioni, a bordo di UAV e per una nuova classe di sistemi di antenne: array di antenne conformi, ad es. ripetendo la forma dell'oggetto. Tali griglie, ad esempio, sono necessarie per creare un combattente della prossima, sesta, generazione.
JSC "NIIPP" sta sviluppando moduli AFAR planari integrati multicanale che utilizzano la tecnologia ceramica LTCC, che includono tutti gli elementi del tessuto AFAR (elementi attivi, emettitori di antenne, sistemi di distribuzione e controllo del segnale a microonde, una fonte di alimentazione secondaria che controlla il controller digitale con circuito di interfaccia, sistema di raffreddamento a liquido) e sono un dispositivo funzionalmente completo. I moduli possono essere combinati in schiere di antenne di qualsiasi dimensione e, con una significativa integrazione intrinseca, vengono imposti requisiti minimi alla struttura portante, che deve unire tali moduli. Ciò rende molto più semplice per gli utenti finali creare un AFAR basato su tali moduli.
Grazie a soluzioni progettuali originali e all'utilizzo di nuovi e promettenti materiali, come la ceramica co-fired a bassa temperatura (LTCC), i materiali compositi, le strutture di raffreddamento a liquido a microcanali multistrato sviluppate da JSC NIIPP, gli APM planari altamente integrati si distinguono per:
JSC "NIIPP" è pronta a sviluppare e organizzare la produzione in serie di moduli AFAR planari di ricezione, trasmissione e trasmissione delle bande S, C, X, Ku, Ka, in conformità con i requisiti del cliente interessato.
JSC NIIPP ha le posizioni più avanzate in Russia e nel mondo nello sviluppo di moduli APAR planari utilizzando la tecnologia della ceramica LTCC.
Citazione:
I risultati del complesso di ricerca e sviluppo nel campo della creazione di circuiti integrati monolitici a microonde GaAs e SiGe, librerie di elementi e moduli CAD, effettuati presso l'Università di Tomsk di sistemi di controllo ed elettronica radio.
Nel 2015, REC NT ha iniziato a lavorare alla progettazione di un microfono a microonde per un ricetrasmettitore multicanale multibanda universale (bande L, S e C) sotto forma di "sistema su chip" (SoC). Ad oggi, sulla base della tecnologia SiGe BiCMOS da 0,25 μm, sono stati progettati i MIS dei seguenti dispositivi a microonde a banda larga (gamma di frequenza 1-4,5 GHz): LNA, mixer, attenuatore a controllo digitale (DCATT), nonché il circuito di controllo DCATT.
Produzione: Nel prossimo futuro, il "problema" del radar per Yak-130, UAV, cercatore per KR e OTR sarà risolto a un livello molto serio. Con un alto grado di probabilità, è possibile presumere che "un prodotto che non ha analoghi nel mondo". AFAR "nella categoria di peso" 60-80 kg (circa il richiesto per la massa radar Yak-130 220kg-270kg rimarrò in silenzio)? Sì Facile. C'è il desiderio di ottenere un intero 30 kg di AFAR?
Nel frattempo… Mentre "questo è il caso":
Non ci sono ancora aerei di serie. La Federazione Russa non ha nemmeno pensato di venderlo a Cina e Indonesia (qui sarebbe meglio occuparsi del SU-35), tuttavia … Tuttavia, il rappresentante di Lockheed Martin e "un certo numero di" esperti "dalla Russia stanno già prevedendo: sarà costoso, ci saranno problemi con la vendita alla Cina e all'Indonesia. Dalla storia dell'"arretratezza" dell'avionica russo/sovietica per "un certo numero di" esperti "dalla Russia, per riferimento:
Il GaN e le sue soluzioni solide sono tra i materiali più popolari e promettenti nell'elettronica moderna. Il lavoro in questa direzione viene svolto in tutto il mondo, vengono regolarmente organizzati convegni e seminari, che contribuiscono al rapido sviluppo della tecnologia per la creazione di dispositivi elettronici e optoelettronici basati su GaN. Si osserva una svolta sia nei parametri delle strutture LED basate su GaN e sulle sue soluzioni solide, sia nelle caratteristiche dei PPM a base di nitruro di gallio, un ordine di grandezza superiore a quello dei dispositivi all'arseniuro di gallio.
Nel corso del 2010 transistor ad effetto di campo con Ft = 77,3 GHz e Fmax = 177 GHz con un guadagno in termini di potenza superiore a 11,5 dB a 35 GHz. Sulla base di questi transistor, per la prima volta in Russia, è stato sviluppato e implementato con successo un MIS per un amplificatore di potenza a tre stadi nell'intervallo di frequenza 27-37 GHz con Kp> 20 dB e una potenza di uscita massima di 300 mW in una modalità pulsata. In conformità con il programma obiettivo federale "Sviluppo della base di componenti elettronici e dell'elettronica radio", è previsto un ulteriore sviluppo della ricerca scientifica e applicata in questa direzione. In particolare, lo sviluppo di eterostrutture InAlN/AlN/GaN per la realizzazione di dispositivi con frequenze operative di 30-100 GHz, con la partecipazione di primarie imprese e istituti nazionali (FSUE NPP Pulsar, FSUE NPP Istok, ZAO Elma-Malakhit, JSC "Svetlana-Rost", ISHPE RAS, ecc.).
Parametri di eterostrutture domestiche e transistor con la lunghezza ottimale del gate basata su di essi (calcolo):
È stato sperimentalmente trovato che per la gamma di frequenze Ka sono ottimali le eterostrutture di tipo 2 con tb = 15 nm, di cui oggi V-1400 ("Elma-Malachite") su un substrato di SiC ha i migliori parametri, il che garantisce la creazione di transistor con una corrente iniziale fino a 1,1 A / mm con una pendenza massima fino a 380 mA / mm e una tensione di interruzione di -4 V. In questo caso, transistor ad effetto di campo con LG = 180 nm (LG / tB = 12) hanno fT / fMAX = 62/130 GHz in assenza di effetti a canale corto, che è ottimale per la banda PA PA. Allo stesso tempo, i transistor con LG = 100 nm (LG / tB = 8) sulla stessa eterostruttura hanno frequenze più elevate fT / fMAX = 77/161 GHz, ovvero possono essere utilizzati in V- ed E- a frequenza più elevata bande, ma a causa di effetti di canale corto non sono ottimali per queste frequenze.
Vediamo insieme gli "alieni" più avanzati e i nostri radar:
Retro: il radar faraone-M, che è ormai un ricordo del passato (era previsto di installarlo sul Su-34, 1.44, Berkut). Diametro trave 500 mm. FARI "Phazotron" non equidistanti. A volte viene anche chiamata "Spear-F".
Spiegazioni:
Tecnologia planare - un insieme di operazioni tecnologiche utilizzate nella produzione di dispositivi a semiconduttore planari (piatti, di superficie) e circuiti integrati.
Applicazione:
-per antenne: sistemi di antenne planari BlueTooth nei telefoni cellulari.
- per convertitori IP e PT: trasformatori planari Marathon, Zettler Magnetics o Payton.
- per transistor SMD
eccetera. vedere più in dettaglio il brevetto della Federazione Russa RU2303843.
Ceramiche LTCC:
Low Temperature Co-Fired Ceramic (LTCC) è una tecnologia ceramica co-fired a bassa temperatura utilizzata per creare dispositivi che emettono microonde, inclusi moduli Bluetooth e WiFi in molti smartphone. È ampiamente noto per il suo utilizzo nella produzione di radar AFAR del caccia di quinta generazione T-50 e del carro armato di quarta generazione T-14.
L'essenza della tecnologia sta nel fatto che il dispositivo è fabbricato come un circuito stampato, ma si trova in una fusione di vetro. "Bassa temperatura" significa che la tostatura viene effettuata a temperature intorno ai 1000C anziché 2500C per la tecnologia HTCC, quando è possibile utilizzare componenti ad alta temperatura non molto costosi di molibdeno e tungsteno in HTCC, ma anche rame più economico in oro e argento leghe.
